IXYS Corporation
IXYS Corporation

- IXYS Corporation oferă o linie largă de semiconductori de înaltă putere, incluzând MOSFET-uri cu rezistență redusă la putere, IGBT-uri de comutare ultra rapidă, diode de recuperare rapidă (FRED), module SCR și diodă, punți redresoare și circuite integrate de putere.

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD

DIODE GEN PURP 800V 40A TO263

SOLARMD HI-EFF 230X160X17MM

IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247

IGBT 600V 70A 190W TO268

IGBT 3000V 130A 625W TO264

MOSFET N-CH 200V 80A TO-247

IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

DIODE MODULE 1.8KV 120A TO240AA

IC CURRENT REGULATOR TO220AB

MOD THYRISTOR/DIO 1800V TO-240AA

MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

MOSFET N-CH 75V 90A TO-263

MOSFET N-CH 100V 170A TO-264

IGBT 1200V 36A 180W TO263

IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS

MOSFET N-CH 500V 44A TO264

DIODE ARRAY GP 800V 11A TO263

DIODE SCHOTTKY 300V 11A TO252AA

MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P

MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

DIODE MODULE 45V 80A SOT227B

MOSFET N-CH 200V 86A TO-220

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC

SOLAR USB CHARGER BLACK

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247

IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC

MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

IGBT 600V 48A 150W TO247AD

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB

MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P

THYRISTOR PHASE 2500V TO-263AA

IGBT 600V 175A 520W SMPD

DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO220AB

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P

RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

THYRISTOR PHASE 1600V TO-247AD

DIODE GEN PURP 300V 30A TO247

MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA

E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADĂUGA: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.